2026年4月17日下午，由麻豆做爱 、中国电子学会电路与系统分会、麻豆做爱 南通研究院联合主办的第十九届中国电子信息年会“先进封装与测试技术”专题论坛在武汉光谷科技会展中心圆满举行。本次论坛作为电子信息年会的重要组成部分，邀请了九位深耕封测领域的领军学者与资深工程师进行专题分享，旨在构建一个开放共享、引领创新的交流平台，推动产学研用的深度融合。
论坛开幕式由麻豆做爱 蔡志匡教授主持。蔡志匡教授在致辞中指出，随着摩尔定律逼近物理极限，先进封装与测试已成为提升芯片性能与集成度的关键路径，更是我国集成电路产业实现跨越式发展的重要突破口。本次论坛分为上、下两个半场，分别针对先进封装与测试技术的前沿理论与产业实践展开了深入交流。
图1.蔡志匡教授作开幕致辞
哈尔滨工业大学田艳红教授作了题为《AI赋能电子封装互连及可靠性研究进展》的报告。首先介绍了AI技术在电子封装中的应用方向，随后系统介绍了哈尔滨工业大学在电子封装互连钎料设计、焊点性能与工艺优化、多场耦合下的寿命预测等方面的最新进展；最后，对AI在电子封装领域的关键挑战难题、应用潜力与未来发展前景进行展望。
图2.哈尔滨工业大学田艳红教授 《AI赋能电子封装互连及可靠性研究进展》
天津工业大学梅云辉教授作了题为《高电压碳化硅器件绝缘封装与可靠性》的报告，介绍了围绕“如何克服电力电子器件封装失效，实现高可靠器件设计与制造”这一难题及其内在关键科学问题开展的相关研究。重点展示了在电力电子器件封装失效机制、低寄生电感、高效散热与长寿命协调的封装设计方法、基于高耐温新型封装材料的器件高可靠制造技术三方面取得的创新性研究成果。
图3.天津工业大学梅云辉教授 《高电压碳化硅器件绝缘封装与可靠性》
电子科技大学罗文博教授带来了题为《面向异构集成的封装互连关键技术研究》的报告，系统介绍了团队围绕封装互连技术所开展的研究工作。他分析了当前技术发展现状与市场需求，并针对横向与垂直互连性能提升的迫切需求，重点突破了TGV、光互连及RF Chiplet封装等核心技术，实现了超细孔径TGV与高带宽光互连的技术创新。此外，团队还提出了多场协同仿真降阶、AI缺陷识别等方法，有效解决了射频与光电异构封装中的热管理及高密度集成难题。
图4.电子科技大学罗文博教授 《面向异构集成的封装互连关键技术研究》
西安电子科技大学孟宝平博士代表单光宝教授团队，分享了题为《基于芯粒的微系统集成技术》的报告。报告系统阐述了在后摩尔时代背景下，可穿戴设备、脑机接口等应用对高性能、小型化电子系统的迫切需求，深入分析了现有集成技术在器件结构及工艺线宽微缩方面面临的技术挑战，以及国外技术封锁所带来的难题。在此基础上，团队介绍了芯粒技术的解决路径：通过将复杂的SoC拆分为模块化芯粒并进行三维集成，能够有效提升系统灵活性、降低成本、缩短研发周期。
图5.西安电子科技大学孟宝平博士 《基于芯粒的微系统集成技术》
芯和半导体创始人、总裁代文亮博士则从《EDA赋能Chiplet先进封装STCO协同设计》出发，聚焦于STCO在Chiplet设计中的核心价值，阐述EDA工具如何作为系统级协同设计的桥梁，从架构规划、多物理场仿真到布局布线，全面应对异构集成的复杂度。并探讨了如何通过统一的集成系统EDA平台，实现对信号/电源完整性、热及应力的协同优化，加速Chiplet产品从概念到落地的创新。
图6.芯和半导体代文亮博士 《EDA赋能Chiplet先进封装STCO协同设计》
华东师范大学徐鹏博士代表吴幸教授团队，以《原子尺度下封装可靠性的原位研究》为题作报告。他指出，随着集成电路工艺节点向纳米尺度不断演进，封装结构在原子尺度下的失效机制已成为制约芯片可靠性的关键瓶颈。在此基础上，团队系统展示了面向先进工艺节点封装互连系统的原位可靠性研究成果，重点介绍了利用原位表征技术在原子尺度动态观察金属互连在电、热多场耦合作用下演化过程的方法与发现。
图7.华东师范大学徐鹏博士 《原子尺度下封装可靠性的原位研究》
武汉数字工程研究所袁浩研究员在《宽禁带器件动态参数测试技术》报告中展示了最新成果。针对开关瞬态快、寄生耦合强等技术难题，其团队创新采用超低杂感功率回路、多层电磁场协同优化及高精度智能提取算法，实现了对开关延时、损耗等核心参数的精准表征。结合亚纳秒级多物理量同步采集与温度自适应补偿技术，该方案成功达成纳秒级瞬态捕获与皮秒级同步精度，为SiC/GaN器件研制及高频电力电子应用提供了关键的测试技术支撑。
图8.武汉数字工程研究所袁浩研究员 《宽禁带器件动态参数测试技术》
中兴微电子封测工程部测试研发专家唐方坤老师带来了题为《基于2.5D封装的Chiplet的测试解决方案》的技术报告。针对后摩尔时代Chiplet异构集成面临的高密度互连与多芯粒合封等测试挑战，她系统介绍了中兴微电子目前已成功落地并实现量产的测试技术与整体解决方案，覆盖从先进工艺到2.5D封装、从高集成度设计到低成本测试等核心需求，为先进封装及高集成度芯片的测试研发提供了重要参考与工程实践范例。
图9.中兴微电子唐方坤老师 《基于2.5D封装的Chiplet的测试解决方案》
盛合晶微半导体（江阴）有限公司测试开发总监钱元彬老师带来题为《芯粒测试——HBM业界洞察与思考》的精彩报告。他深入剖析了HBM测试领域的发展现状，指出随着封装复杂度不断提升，测试挑战日趋严峻，尤其HBM测试面临更高标准与更复杂的测试需求。为应对这些挑战，他系统梳理并对比分析了国内外主流测试策略。报告进一步指出，未来HBM测试将更加聚焦高精度、高效率与高可靠性，以更好满足AI、高性能计算等产品在量产测试中的迫切需求。
图10.盛合晶微钱元彬老师 《芯粒测试-HBM业界洞察与思考》
本次论坛共吸引了近百名观众亲临现场，座无虚席，现场提问与讨论十分热烈。这种极高的关注度不仅体现了先进封装与测试技术在提升芯片性能中的关键作用，更反映出该领域作为当前行业的技术热点与难点，受到了产学研各界的高度重视。在深入的交流互动中，本次论坛圆满落下帷幕。
图11.论坛现场
撰稿：雷鸣奇 编辑：吴中慧 审核：张吉良、蔡志匡
